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IRLR8743TRPBF  与  IPD031N03L G  区别

型号 IRLR8743TRPBF IPD031N03L G
唯样编号 A-IRLR8743TRPBF A-IPD031N03L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 135 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.1mΩ@25A,10V 2.6mΩ
上升时间 - 6ns
Qg-栅极电荷 - 33nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 50S
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 160A 90A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4880pF @ 15V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 135W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4880pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR8743TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 135W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.1mΩ@25A,10V N-Channel 30V 160A D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 2,500 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO252

¥2.079 

阶梯数 价格
30: ¥2.079
100: ¥1.606
1,250: ¥1.397
2,500: ¥1.331
2,500 对比
STD17NF03LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO252

暂无价格 0 对比
IRLR3717TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD031N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03LGATMA1_30V 90A 2.6mΩ 20V 94W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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